答：
含掺杂剂且厚度小于1μm的硅单晶薄片。
含掺杂剂且厚度小于1μm的硅单晶薄片。
首先将硅矿石提纯制备得到多晶硅，然后再将多晶硅与掺杂剂混合并进行熔融重结晶过程制备得到单晶锭，最后将单晶锭经过切片、磨片、倒角、热处理、抛光、清洗等操作后制备得到高平坦度及表面洁净度的硅片。
硅片主要应用于各种半导体芯片中，然后通过各种组装应用于生活中的各种电子设备，例如：电视、电脑、移动电话、汽车等。
硅在地球上储量达到26.8%，仅次于氧；
硅的能隙较大（1.13V），使其具有较高的操作温度及较低的漏电流；
硅片表面的SiO2层能耐高温，对硅片起保护作用。
硅常以化合物（如：硅酸盐、二氧化硅）的形式存在于岩石、尘土、沙子中。
掺杂剂主要为硼（B）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb），其中掺B的硅片为P型，主要是空穴导电。P、As、Sb掺杂的硅片为N型，是利用电子导电。