我们利用CZ法(Czochralski)生长p型和n型无位错的硅锭，其晶向分别为<100>、<111>或<110>，通过高纯石英坩埚、超导磁场等应用，提供low COP、COP Free、低金属含量的高品质、直径100mm/125mm/150mm/200mm/300mm硅单晶棒。

单晶锭在经过线切、磨片、化腐、热处理、CVD、抛光等工序后制备得到具有高平坦度、几何参数优异、表面干净且呈镜面状态的抛光片。

通过在硅衬底上有序生长一层单晶硅，制备得到目标电阻率厚度的外延片，从而得到高质量硅片，以满足制备器件的要求。

将硅片在氩气退火炉中，经过高温退火，使硅片近表面区域的间隙氧向外扩散，从而使近表面区域的空洞型微缺陷得以消除，形成一个洁净区，该洁净区可提高硅片的电学性能。